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            基于二元金屬氧化物的阻變存儲技術研究

            來源:本站 擊數:1708 發布時間:2022-07-04

            項目名稱:基于二元金屬氧化物的阻變存儲技術研究

            獲獎等級:甘肅省自然科學三等獎

            獲獎編號:2021—Z3—008

            提名單位:甘肅省科學院

            主要完成人:高曉平,李穎弢,韓根亮


            ? ? 項目組重點開展了基于與CMOS工藝兼容的二元金屬氧化物材料的高性能阻變存儲器件的研究。從材料選擇、器件制備、性能優化、物理機制等方面出發,闡明了活性電極材料對二元金屬氧化物離子基阻變存儲器阻變性能的影響規律,還原出了離子基阻變存儲器件阻變參數離散性的物理本質;通過深入研究界面效應對阻變器件的影響,揭示了決定阻變存儲性能的主要界面層位置,實現了界面層對阻變存儲器件性能的有效調控;更進一步獲得了性能穩定、自限流、多值存儲的高密度存儲器件單元。項目組所取得的上述研究成果為進一步解決阻變存儲器件器件轉變參數一致性差、器件穩定性差的瓶頸問題提供了重要的科學依據,為評估和優化阻變存儲器件的綜合性能奠定了科學基礎,對新型阻變存儲器的高密度應用具有重要的指導意義。


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